日益成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)和同步高良率目標(biāo)不僅需要改進(jìn)晶圓加工設(shè)備和操作參數(shù)，而且對(duì)潔凈中可能存在的氣態(tài)分子污染物（AMC）的監(jiān)測(cè)和控制也提出了越來越高的要求。隨著半導(dǎo)體制造工藝接近摩爾極限：納米（nm）蝕刻尺寸和更高密度的晶體管密度，潔凈室空氣中的各種“雜項(xiàng)”分子如果沉積在晶圓表面上可能會(huì)影響工藝效果。同時(shí)，由于現(xiàn)代技術(shù)的復(fù)雜性和工序多，這些影響會(huì)不斷地傳遞和放大，最終體現(xiàn)在晶圓良率上。

 

　　也就是說，AMC監(jiān)測(cè)技術(shù)也需要跟上半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步和追求。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道和相關(guān)研究，為了盡量減少AMC對(duì)工藝良率的影響，潔凈室關(guān)鍵AMC濃度需要控制在萬億級(jí)（pptv）。在實(shí)現(xiàn)高靈敏度的同時(shí)，快速響應(yīng)也是一項(xiàng)重要指標(biāo)，以提高樣品測(cè)量通量，并在AMC濃度異常時(shí)盡快報(bào)警，避免或減少對(duì)工藝和晶圓的負(fù)面影響屈服。

　　AMC監(jiān)測(cè)可覆蓋幾大類AMC，同時(shí)獲得秒響應(yīng)和pptv檢出限。高分辨率TOF飛行時(shí)間質(zhì)譜的匹配全譜記錄使vocusciTOF具備數(shù)據(jù)回溯分析的功能，這在半導(dǎo)體需要控制AMC類型不斷擴(kuò)展的前提下尤為重要。

　　AMC監(jiān)測(cè)針對(duì)不同半導(dǎo)體環(huán)境中各類AMC的實(shí)時(shí)、高靈敏度、高精度監(jiān)控案例的革命性解決方案。儀器軟硬件集成度高，運(yùn)維成本極低，未來派上用場的高機(jī)動(dòng)性，可以解決現(xiàn)有市場上其他儀器的諸多痛點(diǎn)，也為業(yè)主提供投資回報(bào)在提高整體良率、AMC事件預(yù)警、實(shí)時(shí)故障排除以及后續(xù)案例分析總結(jié)等方面。